ماده دي الكتريك CCTO)CaCu3Ti4O12 داراي ثابت دي الكتريك بسيار بالا در مقايسه با دي الكتريك هاي متداول است. اما تلفات دي الكتريك بالاي اين ماده كاربردهاي صنعتي آن را محدود مي كند. همه روش هايي كه تاكنون به منظور كاهش تلفات دي الكتريك اين ماده استفاده شده است باعث افت قابل ملاحظه اي در ثابت دي الكتريكCCTO شده اند. در اين كار تركيب CCTO با استفاده از روش مخلوط اكسيدها توليد شد و براي اولين بار در دنيا با استفاده از روش دپ كردن همزمان دو اكسيد كروم و لانتانيوم با حفظ ثابت دي الكتريك تلفات دي الكتريك به طور مناسب كاهش داده شد. در اين كار براي اولين در جهان با استفاده از روش دپ كردن همزمان دو اكسيد كروم و لانتانيوم ثابت دي الكتريك ماده توليد شده در فركانس هاي بالا بيشتر از CCTO گزارش شد اين در حالي است كه تلفات دي الكتريك در فركانس 1 مگا هرتز تا 43% كاهش يافت. علاوه بر اين پايداري حرارتي خواص دي الكتريك اين ماده نيز به نحو چشمگيري بهبود يافت.

استفاده از اكسيد قلع (SnO2) و اكسيد روي (ZnO) به عنوان وريستور به دليل ولتاژ شكست بسيار بالاي آن ها و همچنين تركيب تيتانات كلسيم - مس به دليل ضريب غيرخطي پايين آن براي كاربردهاي ميكروالكترونيك مطلوب نيست. براي رفع اين مشكلات برا ياولين بار در دنيا اكسيد كروم به تركيب تيتانات كلسيم مس كه به روش مقرون به صرفه سينترينگ در حالت جامد ساخته شده است افزوده شد كه در اثر ان خواص وريستوري و سينترپذيري آن بهبود يافت. اين تركيب با توجه به خواص مطلوبش مي تواند در صنعت ميكروالكترونيك به عنوان ميكرو وريستور (برقگير) براي دفع ولتاژ اضافي مدار به كار برده شود.